技术参数/额定电压(DC)： | 13.0 V |
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技术参数/额定功率： | 1.50 kW |
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技术参数/击穿电压： | 12.4 V |
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技术参数/电路数： | 1 |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 1500 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 12.4 V |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-201AD |
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外形尺寸/长度： | 9.50 mm |
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外形尺寸/直径： | 5.30 mm |
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外形尺寸/封装： | DO-201AD |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Bulk |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ETC | 功能相似 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE,
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Comchip Technology (上华科技) | 功能相似 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE,
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | Case 1.5KE |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE,
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1N6274A
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Good-Ark Electronics (固锝) | 功能相似 | DO-201AE |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE,
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1N6274A
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-201AD |
Trans Voltage Suppressor Diode, 15000W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE,
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