技术参数/额定电压(DC)： | 5.10 V |
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技术参数/容差： | ±5 % |
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技术参数/额定功率： | 500 mW |
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技术参数/正向电压： | 1.2V @200mA |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/稳压值： | 5.1 V |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1.2V @200mA |
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技术参数/额定功率(Max)： | 500 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-35 |
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外形尺寸/封装： | DO-35 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Box (TB) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N5231BTR
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | DO-35-2 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5231BTR
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Central Semiconductor | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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||
1N5231BTR
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5231BTR
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5231BTR 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | DO-35 |
DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)
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1N5993B
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | DO-204AH |
DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)
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1N5993B
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | DO-35-2 |
DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)
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1N5993B
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-35 |
DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)
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1N5993B
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Yea Shin Technology | 类似代替 |
DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 |
Diode Zener Single 5.1V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/R
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