技术参数/钳位电压： | 37.5 V |
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技术参数/测试电流： | 1 mA |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 1500 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 25.7 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-13 |
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外形尺寸/封装： | DO-13 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Bag |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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1SMA8.5AT3G
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Littelfuse (力特) | 功能相似 | DO-214AC |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMA8.5AT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SMA |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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JANTX1N5643A
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Sensitron Semiconductor | 功能相似 | DO-13 |
Diode TVS Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW 2-Pin DO-13
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JANTXV1N5643A
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Sensitron Semiconductor | 完全替代 | DO-13 |
1500 WATT单向瞬态电压抑制器 1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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JANTXV1N5643A
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Microchip (微芯) | 完全替代 | DO-13(DO-202AA) |
1500 WATT单向瞬态电压抑制器 1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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Sunmate | 功能相似 |
Diode: transil; 400W; 8.5V; 27.8A; unidirectional; DO214AC, SMA
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Zowie Technology (智威) | 功能相似 |
Diode: transil; 400W; 8.5V; 27.8A; unidirectional; DO214AC, SMA
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SMAJ8.5
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Surge Components | 功能相似 |
Diode: transil; 400W; 8.5V; 27.8A; unidirectional; DO214AC, SMA
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SMAJ8.5
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Meritek | 功能相似 | - |
Diode: transil; 400W; 8.5V; 27.8A; unidirectional; DO214AC, SMA
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