技术参数/钳位电压： | 37.5 V |
|
技术参数/测试电流： | 1 mA |
|
技术参数/脉冲峰值功率： | 1500 W |
|
技术参数/最小反向击穿电压： | 25.7 V |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 2 |
|
封装参数/封装： | DO-13 |
|
外形尺寸/封装： | DO-13 |
|
物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Bag |
|
其他/制造应用： | 通用 |
|
符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1SMA8.5AT3G
|
Littelfuse (力特) | 功能相似 | DO-214AC |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
|
||
1SMA8.5AT3G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SMA |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价