技术参数/额定电压(DC)： | 1.00 kV |
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技术参数/额定电流： | 3.00 A |
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技术参数/电容： | 40.0 pF |
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技术参数/输出电流： | ≤3.00 A |
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技术参数/正向电压： | 1V @3A |
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技术参数/极性： | Standard |
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技术参数/热阻： | 30℃/W (RθJL) |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1V @3A |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-201AD |
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外形尺寸/封装： | DO-201AD |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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SynSemi | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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Rectron Semiconductor | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408G
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408G
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408G
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Bytes | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408G
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DC Components | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408G
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Diotec Semiconductor | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408G
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Shanghai Sunrise Electronics | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408G
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Multicomp | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408G. 超快恢复功率整流器
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1N5408GP-TP
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Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 | DO-201AD |
整流器 3A STANDARD RECOVERY
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1N5408RLG
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5408RLG 标准功率二极管, 单, 1 kV, 3 A, 900 mV, 200 A
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