技术参数/容差： | ±5 % |
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技术参数/正向电压： | 1.2V @1A |
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技术参数/耗散功率： | 5 W |
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技术参数/测试电流： | 50 mA |
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技术参数/稳压值： | 22 V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 5 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | T-18-2 |
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外形尺寸/封装： | T-18-2 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Central Semiconductor | 类似代替 | DO-35-2 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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1N5358B
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 | CASE 17-02 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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New Jersey Semiconductor | 类似代替 | 2 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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Panjit (强茂) | 类似代替 | DO-201AE |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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Diotech Electronics | 类似代替 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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1N5358B
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | T-18 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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1N5358B
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NTE Electronics | 类似代替 | 2 |
硅5瓦齐纳二极管 SILICON 5 WATT ZENER DIODES
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