技术参数/额定电压(DC): | 20.0 V |
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技术参数/容差: | ±5 % |
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技术参数/额定功率: | 500 mW |
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技术参数/正向电压: | 1.2V @200mA |
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技术参数/耗散功率: | 500 mW |
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技术参数/测试电流: | 6.2 mA |
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技术参数/稳压值: | 20 V |
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技术参数/正向电压(Max): | 1.2V @200mA |
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技术参数/额定功率(Max): | 500 mW |
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技术参数/工作温度(Max): | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | 65 ℃ |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 2 |
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封装参数/封装: | DO-35-2 |
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外形尺寸/长度: | 4.56 mm |
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外形尺寸/宽度: | 1.91 mm |
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外形尺寸/高度: | 1.91 mm |
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外形尺寸/封装: | DO-35-2 |
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物理参数/工作温度: | -65℃ ~ 200℃ |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Tape & Box (TB) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Diodes (美台) | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5250B... 单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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![]() |
NTE Electronics | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5250B... 单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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![]() |
Multicomp | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5250B... 单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Panjit (强茂) | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5250B... 单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Rectron Semiconductor | 类似代替 | DO-35 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N5250B... 单管二极管 齐纳, 20 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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