技术参数/容差: | ±5 % |
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技术参数/针脚数: | 2 |
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技术参数/正向电压: | 1.2V @200mA |
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技术参数/耗散功率: | 500 mW |
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技术参数/测试电流: | 20 mA |
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技术参数/稳压值: | 3.9 V |
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技术参数/额定功率(Max): | 500 mW |
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技术参数/工作温度(Max): | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 500 mW |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 2 |
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封装参数/封装: | DO-35 |
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外形尺寸/长度: | 4.56 mm |
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外形尺寸/封装: | DO-35 |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用: | 工业 |
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符合标准/RoHS标准: |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Philips (飞利浦) | 完全替代 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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先科ST (先科) | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Central Semiconductor | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Rectron | 完全替代 | DO-204AH |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Rectron Semiconductor | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Taitron | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5228B
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Surge Components | 完全替代 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5228B
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5228B
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EIC | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5228B
|
DC Components | 完全替代 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5228B
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5228B
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | DO-35 |
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N5228B-T
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Rectron | 功能相似 | DO-35 |
1N5228B 系列 500 mW 3.3 V 200 mA 通孔 外延 齐纳二极管 - DO-35
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1N5228BRL
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-35 |
3.9V, 0.5W(1/2W), SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204Ah, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2Pin
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1N5228BTAP
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-35 |
Diode Zener Single 3.9V 5% 0.5W(1/2W) Automotive 2Pin DO-35 Ammo
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