技术参数/额定电压(DC)： | 2.70 V |
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技术参数/容差： | ±5 % |
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技术参数/额定功率： | 500 mW |
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技术参数/正向电压： | 1.1V @200mA |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/测试电流： | 20 mA |
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技术参数/稳压值： | 2.7 V |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1.1V @200mA |
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技术参数/额定功率(Max)： | 500 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-35 |
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外形尺寸/长度： | 4.2 mm |
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外形尺寸/宽度： | 2 mm |
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外形尺寸/高度： | 2 mm |
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外形尺寸/封装： | DO-35 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | PB free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N5223B-T
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | DO-35 |
1N5223B Series 0.5W(1/2W) 2.7V 200mA Through Hole Epitaxial Zener Diode - DO-35
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1N5223B
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | DO-35 |
硅Z-二极管 Silicon Z-Diodes
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||
1N5223B
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 | DO-35 |
硅Z-二极管 Silicon Z-Diodes
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