技术参数/额定电压(DC): | 24.0 V |
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技术参数/容差: | ±5 % |
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技术参数/额定功率: | 1.00 W |
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技术参数/输出电流: | ≤2.40 A |
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技术参数/耗散功率: | 1000 mW |
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技术参数/测试电流: | 10.5 mA |
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技术参数/稳压值: | 24 V |
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技术参数/额定功率(Max): | 1 W |
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技术参数/工作温度(Max): | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 1000 mW |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 2 |
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封装参数/封装: | DO-41 |
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外形尺寸/长度: | 5.21 mm |
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外形尺寸/宽度: | 2.72 mm |
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外形尺寸/高度: | 2.72 mm |
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外形尺寸/封装: | DO-41 |
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物理参数/材质: | Glass |
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物理参数/工作温度: | -65℃ ~ 200℃ |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Box |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N4749A
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NTE Electronics | 类似代替 | 2 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N4749A
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ChendaHang (辰达行) | 类似代替 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Panjit (强茂) | 类似代替 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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||
1N4749A
|
Visay | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N4749A
|
先科ST (先科) | 类似代替 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N4749A
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EIC | 类似代替 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N4749ATR
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-41 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749ATR 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-204AL, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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1N4749A_T50R
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | DO-41 |
1N4749A Series 24V ±5% 1W Through Hole Zener Diode - DO-41
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