芯片AI顾问
技术参数/额定电压(DC)： | 50 V |
|
技术参数/电容： | 4.7 µF |
|
技术参数/容差： | ±20 % |
|
技术参数/产品系列： | 199D |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/封装： | Radial |
|
封装参数/引脚间距： | 2.54 mm |
|
外形尺寸/高度： | 11.68 mm |
|
外形尺寸/直径： | Φ6.00mm |
|
外形尺寸/封装： | Radial |
|
外形尺寸/引脚间距： | 2.54 mm |
|
物理参数/工作温度： | 55℃ ~ 125℃ |
|
其他/最小包装： | 500 |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Vishay Sprague | 功能相似 | Through Hole |
Cap Tant Solid 4.7uF 50V 10% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk
|
||
199D475X9050DXV1E3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | Radial |
Cap Tant Solid 4.7uF 50V 10% (6 X 10.16mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价