技术参数/额定电压(DC)： | 35.0 V |
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技术参数/电容： | 2.2 µF |
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技术参数/容差： | ±10 % |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/额定电压： | 35 V |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/引脚间距： | 2.54 mm |
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外形尺寸/高度： | 7.62 mm |
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外形尺寸/引脚间距： | 2.54 mm |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 125℃ |
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其他/包装方式： | Each |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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199D225X0035B1V1E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | Through Hole |
VISHAY 199D225X0035B1V1E3 钽电容, 2.2uF, 35V, 径向引线
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VISHAY (威世) | 完全替代 | Radial |
199D 系列 2.2 uF ±10 % 35 V 径向 固体电解质钽电容
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