技术参数/额定电压(DC)： | 10 V |
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技术参数/电容： | 560 µF |
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技术参数/等效串联电阻(ESR)： | 2.5 Ω |
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技术参数/容差： | ±10 % |
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技术参数/产品系列： | 109D |
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技术参数/纹波电流： | 300 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/额定电压： | 10 V |
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封装参数/封装： | F Case |
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外形尺寸/长度： | 20.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 20.22 mm |
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外形尺寸/直径： | Φ7.92mm |
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外形尺寸/封装： | F Case |
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物理参数/工作温度： | 55℃ ~ 125℃ |
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其他/包装方式： | Tray |
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其他/最小包装： | 25 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
109D567X9010F2
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VISHAY (威世) | 功能相似 | F Case |
Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (wet), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 560uF, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
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109D567X9010F2E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
Cap Tant Wet 560uF 10V 10% (7.92 X 20.22mm) Axial 2.5Ω 125℃ Plastic Tray
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109D567X9010F2
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | 7.92 mm |
Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum (wet), 10V, 10% +Tol, 10% -Tol, 560uF, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
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135D567X9010F2
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | Axial |
Cap Tant Wet 560uF 10V 10% (7.93 X 17.88mm) Axial 2.5Ω 125℃ Plastic Tray
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