技术参数/工作电压: | 10V ~ 20V |
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技术参数/上升/下降时间: | 150ns, 50ns |
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技术参数/输出接口数: | 2 |
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技术参数/输出电流: | 350 mA |
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技术参数/针脚数: | 8 |
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技术参数/耗散功率: | 625 mW |
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技术参数/静态电流: | 180 µA |
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技术参数/上升时间: | 220 ns |
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技术参数/下降时间: | 80 ns |
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技术参数/下降时间(Max): | 80 ns |
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技术参数/上升时间(Max): | 220 ns |
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技术参数/工作温度(Max): | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -40 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 625 mW |
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技术参数/电源电压: | 10V ~ 20V |
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技术参数/电源电压(Max): | 20 V |
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技术参数/电源电压(Min): | 10 V |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度: | 5 mm |
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外形尺寸/宽度: | 4 mm |
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外形尺寸/高度: | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度: | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | SOIC-8 |
600V High and Low Side Driver IC with typical 0.2A source and 0.35A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IR2106SPBF 双路驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | SOIC |
IC DRIVER HIGH/LOW 600V 8-SOIC
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