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描述: VISHAY SISA18ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V
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封 装: PowerPAK-1212-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.006 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

19.8 W

 

技术参数/阈值电压:

1.2 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

PowerPAK-1212-8

 

外形尺寸/宽度:

3.3 mm

 

外形尺寸/封装:

PowerPAK-1212-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Industrial, Power Management, Communications & Networking, Portable Devices

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

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