技术参数/工作电压： | 11.1 V |
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技术参数/击穿电压： | 12.4 V |
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技术参数/钳位电压： | 18.2 V |
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技术参数/最大反向电压（Vrrm）： | 11.1V |
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技术参数/测试电流： | 1 mA |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 1500 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 12.4 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/工作结温： | -65℃ ~ 150℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-214AB-2 |
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外形尺寸/封装： | DO-214AB-2 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1.5SMC13AT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SMC |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5SMC13AT3G
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Littelfuse (力特) | 完全替代 | SMC |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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