技术参数/耗散功率： | 750 W |
|
技术参数/输出功率： | 350 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 80 V |
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技术参数/增益： | 8.32 dB |
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技术参数/额定功率(Max)： | 350 W |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Chassis |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | Ceramic-2 |
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外形尺寸/封装： | Ceramic-2 |
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物理参数/工作温度： | 200℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PH10
|
M/A-Com | 功能相似 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2
|
|||
|
PH10
|
Vishay Sfernice (思芬尼) | 功能相似 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2
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