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描述: 氮化镓对SiC耗尽型晶体管技术内部匹配 GaN on SiC Depletion-Mode Transistor Technology Internally Matched
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品 牌: M/A-Com
封 装: Ceramic-2
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包装方式: Bulk
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技术参数/频率:

1.2GHz ~ 1.4GHz

 

技术参数/耗散功率:

583 W

 

技术参数/阈值电压:

3.1 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

175 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

8 V

 

技术参数/输出功率:

500 W

 

技术参数/增益:

19.22 dB

 

技术参数/测试电流:

400 mA

 

技术参数/工作温度(Max):

95 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

40 ℃

 

技术参数/额定电压:

65 V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

Ceramic-2

 

外形尺寸/封装:

Ceramic-2

 

物理参数/工作温度:

40℃ ~ 95℃

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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