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技术参数/电源电压(DC)： | 36.0V (max) |
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技术参数/工作电压： | 10V ~ 36V |
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技术参数/输出电流： | 40.0 mA |
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技术参数/供电电流： | 10 mA |
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技术参数/电路数： | 4 |
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技术参数/通道数： | 4 |
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技术参数/针脚数： | 14 |
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技术参数/耗散功率： | 830 mW |
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技术参数/共模抑制比： | 80 dB |
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技术参数/输入补偿漂移： | 2.00 µV/K |
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技术参数/带宽： | 25 MHz |
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技术参数/转换速率： | 10.0 V/μs |
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技术参数/增益频宽积： | 25 MHz |
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技术参数/输入补偿电压： | 300 µV |
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技术参数/输入偏置电流： | 500 nA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/增益带宽： | 25 MHz |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 830 mW |
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技术参数/共模抑制比(Min)： | 80 dB |
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技术参数/电源电压： | 10V ~ 36V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 36 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 10 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 14 |
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封装参数/封装： | SOIC-14 |
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外形尺寸/长度： | 8.64 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.91 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.45 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-14 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | 音频 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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LM837M
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 完全替代 | SOIC |
LM837低噪声四路运算放大器 LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier
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LM837MX/NOPB
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-14 |
LM837低噪声四路运算放大器 LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 | SOP |
TEXAS INSTRUMENTS MC3303D 运算放大器, 四路, 1 MHz, 4个放大器, 0.6 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOP |
TEXAS INSTRUMENTS MC3303D 运算放大器, 四路, 1 MHz, 4个放大器, 0.6 V/µs, ± 2.5V 至 ± 15V, SOIC, 14 引脚
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MC33079DR2G
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onsemi | 功能相似 | SOP14 |
MC33078、MC33079、低噪声双/四路运算放大器，ON Semiconductor MC33078/9 系列是采用双极技术的单片运算放大器系列，用于音频和数据信号处理应用。 它们使用高频 PNP 输入晶体管，以生产低输入电压噪音、高增益带宽产品和转换速率的放大器。 MC33078/9 系列提供采用塑料 DIP 或 SOIC 封装的双路和四路型号（后缀 P 和 D）。 双电源操作：±5 V 至 ±18 V 低电压噪音：4.5 nV/ Hz 低输入偏置电压：0.15 mV 输入偏置电压 输入偏置电压：2 μV/ C 低总谐波畸变：0.002% 高增益带宽产品：16 MHz 高转换速率：7 V/μs 高开环交流增益：800 @ 20 kHz 极佳的频率稳定性 大输出电压摆幅：+14.1 V/ -14.6 V 输入上提供的 ESD 二极管 ### 运算放大器，ON Semiconductor
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MC33179DR2G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-14 |
ON SEMICONDUCTOR MC33179DR2G 运算放大器
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MC33179DR2G
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onsemi/安森美 | 功能相似 | SOIC |
ON SEMICONDUCTOR MC33179DR2G 运算放大器
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