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技术参数/耗散功率： | - |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 600 V |
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技术参数/上升时间： | 20 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 6800pF @100V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 10 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 5 |
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封装参数/封装： | ISOPLUS-i4-5 |
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外形尺寸/封装： | ISOPLUS-i4-5 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXKR47N60C5
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IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-247-3 |
IXKR 系列 单 N 沟道 600 V 45 mOhm 功率 MOSFET - ISOPLUS247
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