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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 34.0 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 600 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 21.0 A |
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技术参数/上升时间： | 5 ns |
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技术参数/下降时间： | 5 ns |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 34W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220 |
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外形尺寸/长度： | 10.65 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.85 mm |
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外形尺寸/高度： | 16.15 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STF21NM60ND
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STF21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
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