芯片AI顾问
技术参数/额定功率： | 136 W |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0055 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 136 W |
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技术参数/阈值电压： | 2.8 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 80 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 80A |
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技术参数/上升时间： | 66 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2890pF @40V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 136 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263 |
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外形尺寸/长度： | 10.31 mm |
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外形尺寸/宽度： | 9.45 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.57 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Alternative Energy, 发光二极管照明, 车用, Communications & Networking, LED Lighting, 电源管理, 替代能源, 通信与网络, Motor Drive & Control, Automotive, Power Management, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IPB136N08N3G
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | D2PAK |
Power Transistor
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