技术参数/耗散功率： | 125 W |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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其他/制造商： | STMicroelectronics |
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其他/产品种类： | MOSFET |
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其他/RoHS： | 符合RoHS |
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其他/技术： | Si |
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其他/安装风格： | Through Hole |
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其他/封装 / 箱体： | TO-220-3 |
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其他/通道数量： | 1 Channel |
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其他/晶体管极性： | N-Channel |
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其他/Vds-漏源极击穿电压： | 250 V |
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其他/Id-连续漏极电流： | 14 A |
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其他/Rds On-漏源导通电阻： | 280 mOhms |
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其他/Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
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其他/Pd-功率耗散： | 125 W |
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其他/配置： | Single |
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其他/封装： | Tube |
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其他/系列： | IRF644 |
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其他/晶体管类型： | 1 N-Channel |
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其他/类型： | Power MOSFET Transistors |
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其他/商标： | STMicroelectronics |
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其他/产品类型： | MOSFET |
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其他/工厂包装数量： | 50 |
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其他/子类别： | MOSFETs |
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其他/单位重量： | 2.240 g |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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