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技术参数/耗散功率： | 150000 mW |
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技术参数/上升时间： | 73 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1400pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 57 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 150W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRF9540PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
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Samsung (三星) | 功能相似 | SFM |
19A ， 100V ， 0.200欧姆，P沟道功率MOSFET 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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