技术参数/额定电压(DC): | -60.0 V |
|
技术参数/额定电流: | -1.00 A |
|
技术参数/极性: | PNP |
|
技术参数/耗散功率: | 0.75 W |
|
技术参数/增益频宽积: | 120 MHz |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 60 V |
|
技术参数/集电极最大允许电流: | 1A |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 200 @100mA, 2V |
|
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): | 400 |
|
技术参数/额定功率(Max): | 750 mW |
|
技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min): | 55 ℃ |
|
封装参数/安装方式: | Through Hole |
|
封装参数/封装: | TO-226-3 |
|
外形尺寸/长度: | 5.2 mm |
|
外形尺寸/宽度: | 4.19 mm |
|
外形尺寸/高度: | 5.33 mm |
|
外形尺寸/封装: | TO-226-3 |
|
物理参数/工作温度: | 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期: | Obsolete |
|
其他/包装方式: | Bulk |
|
符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准: | Lead Free |
|
海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价