技术参数/电源电压(DC)： | 36.0 V |
|
技术参数/输出电流： | 200 pA |
|
技术参数/供电电流： | 7.5 mA |
|
技术参数/电路数： | 1 |
|
技术参数/通道数： | 1 |
|
技术参数/耗散功率： | 500 W |
|
技术参数/输入补偿电压： | 7.5 mV |
|
技术参数/输入偏置电流： | 250 nA |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
|
技术参数/电源电压(Max)： | 36 V |
|
技术参数/电源电压(Min)： | 5 V |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 8 |
|
封装参数/封装： | SOIC-8 |
|
外形尺寸/长度： | 5 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 4 mm |
|
外形尺寸/高度： | 1.5 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
|
物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM211DT
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS LM211DT. 单电压比较器
|
||
LM211DT
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS LM211DT. 单电压比较器
|
||
LM311DR2G
|
Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
比较器，ON Semiconductor ### 比较器，ON Semiconductor
|
|||
LM311MX/NOPB
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | SOIC |
TEXAS INSTRUMENTS LM311MX/NOPB 模拟比较器, 单路, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 36V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM311MX/NOPB
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM311MX/NOPB 模拟比较器, 单路, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 36V, SOIC, 8 引脚
|
||
LM311MX/NOPB
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM311MX/NOPB 模拟比较器, 单路, 通用, 1, 200 ns, 5V 至 36V, SOIC, 8 引脚
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价