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型号: MMRF1013HSR5
描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V
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其他/制造商:

NXP

 

其他/产品种类:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

 

其他/RoHS:

符合RoHS

 

其他/技术:

Si

 

其他/封装:

Reel

 

其他/商标:

NXP / Freescale

 

其他/产品类型:

RF MOSFET Transistors

 

其他/工厂包装数量:

50

 

其他/子类别:

MOSFETs

 

其他/零件号别名:

935318222178

 

其他/单位重量:

8.518 g

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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