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型号: MMRF1314HSR5
描述: RF Power Transistor,1200 to 1400MHz, 1000W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 1200MHz, 52V, LDMOS, SOT1829
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封 装: NI-1230-4S
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技术参数/频率:

1.4 GHz

 

技术参数/输出功率:

1000 W

 

技术参数/增益:

17.7 dB

 

技术参数/测试电流:

500 mA

 

技术参数/耗散功率(Max):

909 W

 

技术参数/额定电压:

105 V

 

技术参数/电源电压:

52 V

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

NI-1230-4S

 

外形尺寸/封装:

NI-1230-4S

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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