技术参数/频率： | 960 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | 26.0 V |
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技术参数/额定电流： | 10 µA |
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技术参数/无卤素状态： | Halogen Free |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 26.0 V |
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技术参数/输出功率： | 80 W |
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技术参数/增益： | 18.5 dB |
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技术参数/测试电流： | 600 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/额定电压： | 65 V |
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封装参数/安装方式： | Flange |
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封装参数/引脚数： | 5 |
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封装参数/封装： | TO-272 |
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外形尺寸/封装： | TO-272 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF5S9080NBR1
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-272 |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin TO-272W T/R
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MRF5S9080NBR1
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 | TO-272 |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin TO-272W T/R
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MRFE6P3300HR3
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 | NI-860C3 |
RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856
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MRFE6P3300HR3
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | NI-860C3 |
RF Power Transistor,470 to 860MHz, 300W, Typ Gain in dB is 20.4 @ 860MHz, 32V, LDMOS, SOT1856
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