技术参数/额定电压(DC)： | 200 V |
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技术参数/额定电流： | 50.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 40.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 300 W |
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技术参数/产品系列： | IRFP260N |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 200 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 200 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 50.0 A |
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技术参数/上升时间： | 60 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 4057pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 48 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-247 |
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外形尺寸/封装： | TO-247 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Bulk |
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其他/制造应用： | Push-Pull, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STW75NF20
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW75NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
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IFA | 功能相似 |
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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