技术参数/针脚数: | 3 |
|
技术参数/漏源极电阻: | 3 Ω |
|
技术参数/极性: | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率: | 42 W |
|
技术参数/阈值电压: | 2 V |
|
技术参数/漏源极电压(Vds): | 500 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids): | 2.40 A |
|
技术参数/输入电容(Ciss): | 360pF @25V(Vds) |
|
技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max): | 2.5 W |
|
封装参数/安装方式: | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数: | 3 |
|
封装参数/封装: | TO-252 |
|
外形尺寸/长度: | 6.73 mm |
|
外形尺寸/宽度: | 6.22 mm |
|
外形尺寸/高度: | 2.39 mm |
|
外形尺寸/封装: | TO-252 |
|
符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准: | Lead Free |
|
型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252 |
2.5A , 500V , 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
|
||
![]() |
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 500V, 3Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价