技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 1.50 A |
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技术参数/额定功率： | 3.1 W |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 540 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 3.1 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/输入电容： | 250pF @25V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 1.50 A |
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技术参数/上升时间： | 47 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 250pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 18 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-223 |
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外形尺寸/长度： | 6.7 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.45 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-223 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Industrial, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLL110TRPBF
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL110TRPBF
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL110TRPBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOT-223 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL110TRPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-261-4 |
VISHAY IRFL110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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