技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 75 W |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 86A |
|
技术参数/上升时间： | 49 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 2150pF @15V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 75 W |
|
技术参数/下降时间： | 16 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 75W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-252-3 |
|
外形尺寸/长度： | 6.5 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
|
外形尺寸/高度： | 2.3 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | 无铅 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLR8726PBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRLR8726PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V
|
||
IRLR8726
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价