技术参数/额定电压(DC)： | 28.0 V |
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技术参数/额定电流： | 85.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 6.10 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 80W (Tc) |
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技术参数/输入电容： | 2.15 nF |
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技术参数/栅电荷： | 29.0 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 28 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 28.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 85.0 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2150pF @24V(Vds) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 80W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NTB85N03T4G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-263-3 |
85A,28V功率MOSFET
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NTB85N03
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-263-3 |
85A,28V逻辑电平的功率MOSFET
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