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型号: PUMD9
描述: NXP PUMD9 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
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封 装: SOT-363
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技术参数/针脚数:

6

 

技术参数/极性:

NPN, PNP

 

技术参数/耗散功率:

200 mW

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

50 V

 

技术参数/集电极最大允许电流:

100mA

 

技术参数/直流电流增益(hFE):

100

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

6

 

封装参数/封装:

SOT-363

 

外形尺寸/封装:

SOT-363

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Cut Tape (CT)

 

其他/制造应用:

Industrial, Power Management, Automation & Process Control, Automotive, Computers & Computer Peripherals

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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