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描述: 的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
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封 装: TO-252-3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

120A

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Valves control, Single-ended motors, Solenoids control, Lighting

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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IPB120N06S4-02 IPB120N06S4-02 Infineon (英飞凌) 类似代替 TO-263-3-2
Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管,可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准)

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