技术参数/耗散功率： | 1 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 40 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 40 @1.5A, 2V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1000 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-5 |
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外形尺寸/封装： | TO-5 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
JANTX2N3867S
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-205 |
硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors
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