技术参数/额定电压(DC)： | -60.0 V |
|
技术参数/额定电流： | -18.5 A |
|
技术参数/通道数： | 1 |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 0.14 Ω |
|
技术参数/极性： | P-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 88 W |
|
技术参数/阈值电压： | 1.5 V |
|
技术参数/输入电容： | 730 pF |
|
技术参数/栅电荷： | 22.0 nC |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 60 V |
|
技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 18.5 A |
|
技术参数/上升时间： | 122 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1190pF @25V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 88 W |
|
技术参数/下降时间： | 75 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 88W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-263-3 |
|
外形尺寸/长度： | 10.29 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 9.65 mm |
|
外形尺寸/高度： | 4.83 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTB5605P
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-263-3 |
功率MOSFET -60伏， -18.5放大器 Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp
|
||
NTB5605PG
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-263-3 |
-60V,-18.5A,功率MOSFET
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价