技术参数/额定功率: | 625 mW |
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技术参数/极性: | PNP, P-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 625 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE): | 475 |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | SOT-23 |
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外形尺寸/封装: | SOT-23 |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用: | Industrial, Power Management |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2015/12/17 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
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