技术参数/极性： | NPN |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
|
技术参数/集电极最大允许电流： | 100mA |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 35 |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 200 mW |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | SOT-323 |
|
外形尺寸/长度： | 2.2 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 1.35 mm |
|
外形尺寸/高度： | 1.1 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOT-323 |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC123JU
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | UMT |
NXP PDTC123JU 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
|
||
|
|
Philips (飞利浦) | 类似代替 |
NPN电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
|
|||
PDTC123JU
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-323 |
NXP PDTC123JU 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFE
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价