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型号: PESD5V2S2UT
描述: NXP PESD5V2S2UT 静电保护装置, TVS, 20 V, SOT-23, 3 引脚
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封 装: SOT-23-3
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/击穿电压:

6.80 V

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/钳位电压:

20 V

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

SOT-23-3

 

外形尺寸/封装:

SOT-23-3

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Cut Tape (CT)

 

其他/制造应用:

音频, Computers & Computer Peripherals, Imaging, Video & Vision, Audio, Communications & Networking, 通信与网络, 成像, 视频和目视, 计算机和计算机周边

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/香港进出口证:

NLR

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
ESDA5V3L ESDA5V3L ST Microelectronics (意法半导体) 功能相似 SOT-23-3
Transil™ 阵列单向,提供 ESD 保护,ESDA 系列,STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
PDF
ESDA5V3L ESDA5V3L A&D Instruments 功能相似
Transil™ 阵列单向,提供 ESD 保护,ESDA 系列,STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
ESDA5V3L ESDA5V3L Bourns J.W. Miller (伯恩斯) 功能相似 SOT-23
Transil™ 阵列单向,提供 ESD 保护,ESDA 系列,STMicroelectronics ### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
MMBZ6V2ALT1G MMBZ6V2ALT1G Freescale (飞思卡尔) 功能相似 3
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
MMBZ6V2ALT1G MMBZ6V2ALT1G Motorola (摩托罗拉) 功能相似
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
MMBZ6V2ALT1G MMBZ6V2ALT1G Motorola (摩托罗拉) 功能相似
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
MMBZ6V8ALT1G MMBZ6V8ALT1G onsemi/安森美 功能相似 SOD-123
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V8ALT1G 单管二极管 齐纳, TVS, 24 W, SOT-23, 3 引脚
PESD5V2S2UT,215 PESD5V2S2UT,215 NXP (恩智浦) 类似代替 SOT-23-3
5.2V,单向,Cd=152pF(Typ),(8KV接触, 15KV空隙放电)
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SL05T1G SL05T1G Motorola (摩托罗拉) 功能相似
300W 低电容 TVS,用于高速线路保护 TVS 二极管,与补偿二极管串联,提供低于 5pF 电容 峰值功率额定值为 300W,8x20μs ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
SL05T1G SL05T1G ON Semiconductor (安森美) 功能相似 SOT-23-3
300W 低电容 TVS,用于高速线路保护 TVS 二极管,与补偿二极管串联,提供低于 5pF 电容 峰值功率额定值为 300W,8x20μs ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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