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描述: NXP PHD108NQ03LT,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V
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封 装: TO-252-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0053 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

187 W

 

技术参数/阈值电压:

1.5 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

25 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

75.0 A

 

技术参数/上升时间:

38 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1375pF @12V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

187 W

 

技术参数/下降时间:

25 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

187W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
PHD108NQ03LT,118 PHD108NQ03LT,118 NXP (恩智浦) 功能相似 TO-252-3
PHD108NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin
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