技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 400 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 12A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 8 @5A, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 80 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 80000 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Rail |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FJP13009
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application
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MJE13009G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS
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