封装参数/封装: | SOT-363 |
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外形尺寸/封装: | SOT-363 |
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其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO): | 50V |
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其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO): | 50V |
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其他/集电极连续输出电流IC Collector Current(IC): | 100mA |
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其他/Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1): | 10KΩ/Ohm |
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其他/Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1): | 10KΩ/Ohm |
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其他/直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE): | 200 |
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其他/耗散功率Pc Power Dissipation: | 300mW/0.3W |
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其他/规格书PDF: | __ |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Nexperia (安世) | 功能相似 | UMT |
单电阻器双数字晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-363 |
单电阻器双数字晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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