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型号： PUMD20
描述： 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors
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品 牌： NXP (恩智浦)
封 装： TSSOP-6
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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技术参数/极性：

NPN+PNP

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：

50 V

 

技术参数/集电极最大允许电流：

100mA

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：

30 @20mA, 5V

 

技术参数/额定功率(Max)：

300 mW

 

封装参数/安装方式：

Surface Mount

 

封装参数/封装：

TSSOP-6

 

外形尺寸/封装：

TSSOP-6

 

其他/产品生命周期：

Unknown

 

其他/包装方式：

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Lead Free

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
PUMD2,115 PUMD2,115 NXP (恩智浦) 功能相似 SOT-363-6
Nexperia PUMD2,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装
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MUN5313DW1T1G MUN5313DW1T1G ON Semiconductor (安森美) 功能相似 SC-70-6
ON SEMICONDUCTOR MUN5313DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SC-88
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