技术参数/漏源极电阻： | 0.025 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.5 W |
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技术参数/产品系列： | IRF7240 |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 40 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | -10.5 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 9250pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 2.5 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STS5PF30L
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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SI4401DDY-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
-40V,-16.1A,P沟道MOSFET
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IRF7240TR
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOIC-8 |
SOIC P-CH 40V 10.5A
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