技术参数/漏源极电压(Vds): | 600 V |
|
封装参数/封装: | TO-220 |
|
外形尺寸/封装: | TO-220 |
|
其他/Field-effect transistor type: | N-ch |
|
其他/Drain to Source voltage: | 600V |
|
其他/Continuous drain current: | 3.5A |
|
其他/Drain to Source on-state resistance: | 2.2Ω(max)@V_GS=10V |
|
其他/Package: | TO-220SIS |
|
其他/Remarks: | 世代:π-MOSVII / ゲート入力電荷量:11nC(typ.) / 入力容量:490pF(typ.) |
|
其他/Product name: | 小信号MOS FET 1素子 |
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价