技术参数/容差： | ±5 % |
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技术参数/耗散功率： | 1000 mW |
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技术参数/测试电流： | 6 mA |
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技术参数/稳压值： | 43 V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-213AB |
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外形尺寸/封装： | DO-213AB |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Good-Ark Electronics (固锝) | 功能相似 | MELFGlassCase |
Diode: Zener; 1.3W; 43V; 28mA; SMD; reel, tape; MELF
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ZM4755A-GS08
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Vishay Siliconix | 完全替代 | 2 |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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ZM4755A-GS08
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VISHAY (威世) | 完全替代 | DO-213AB |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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