技术参数/额定电流： | 10.0 mA |
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技术参数/漏源极电阻： | 2.00 kΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel, Dual N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/栅源击穿电压： | -25.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 60.0 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 500 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 7 |
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封装参数/封装： | TO-78 |
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外形尺寸/封装： | TO-78 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-78 |
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
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U431
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InterFET | 功能相似 |
Dual N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
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