技术参数/额定功率: | 1 W |
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技术参数/通道数: | 1 |
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技术参数/漏源极电阻: | 1.50 Ω |
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技术参数/极性: | N-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 1.00 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 60 V |
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技术参数/漏源击穿电压: | 60.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压: | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 500 mA |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-92-3 |
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外形尺寸/宽度: | 4.19 mm |
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外形尺寸/封装: | TO-92-3 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Bulk |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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海关信息/HTS代码: | 8541900000 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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GE (通用电气) | 功能相似 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
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![]() |
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-205 |
晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
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![]() |
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-23 |
2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3
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