芯片AI顾问
技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 5.6 mΩ |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 88 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 80A |
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技术参数/上升时间： | 4 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 4400pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 60 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 88 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.3 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors), Bridge configuration could be realized with 30V P-Channel as high side device with no need of charge pump |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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